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  • ED02AH工艺是一款自1995年就规模商用的0.18μm pHEMT工艺,ED02AH允许在单片MMIC上同时有增强型pHEMT管和耗尽型pHEMT管,是设计、生产多功能芯片的首选工艺。其中,多功能芯片广泛应用于相控阵应用领域。

    ED02AH雷竞技已通过欧洲宇航局航天级认证,并被列入欧洲宇航局首选器件清单(EPPL)。

     

    ED02AH工艺射频/直流特性

    l两个不同开启电压Vt

    ——增强型:225mV

    ——耗尽型:-900mV

    l击穿电压:Vbgd=8V(典型值);

    l截止频率:Ft=60GHz

    l全局钝化处理

    ——外延电阻;

    ——镍铬电阻;

    ——MIM电容(400pf/mm249pf/mm2);

    ——螺旋电感;

    ——空气桥;

    ——通孔;

    ——微凸台;

    ——封装级产品:全局150nm氮化硅钝化层(标准)或300nm(可选)氮化硅钝化层。


    Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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