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  • GaN功率雷竞技电竞采用业界领先的100nm栅宽硅基氮化镓雷竞技D01GH生产制备。

    产品型号
    工作频率(GHz)
    增益(dB)
    P1dB(dBm)
    Psat(dBm)
    OIP3(dBm)
    供电
    封装形式
    雷竞技
    详情
    28 - 31.5
    22
    -
    39
    -
    +12V@2500mA
    DIE
    D01GH
    37 - 43
    18
    TBD
    41
    TBD
    2700mA @ +12V
    Die
    D01GH
    0.5-20
    22
    TBD
    35
    TBD
    700mA @ +12V
    Die
    D01GH
    15-18
    25
    40
    45
    TBD
    6000mA @ +12V
    Die
    D01GH
    27-31
    20
    41
    43
    TBD
    4000mA @ +12V
    Die
    D01GH
    33 - 37
    20
    34
    38.5
    TBD
    2200mA @ +12V
    Die
    D01GH
    26-29
    20
    39
    40
    TBD
    4000mA @ +12V
    Die
    D01GH
    15 - 18
    22
    38
    40.7
    TBD
    2000mA @ +12V
    Die
    D01GH
    8条记录  每页100条  第1页/共1

    Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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